台积电技术论坛北美亮相 2nm制程2025年量产

2023北美技术论坛透露，2nm工艺将如期在2025年量产。

晶圆代工厂龙头台积电今日（美国当地时间26日）举办2023北美技术论坛，揭露公司最新技术进展，包括2奈米技术进步及业界领先的提升。3纳米技术家族的新成员，提供广泛的技术组合以满足客户多样化的需求，包括支持更好的功耗、性能和密度的增强版N3P工艺，以及为高-性能计算应用方面，支持汽车客户尽早采用业界最先进工艺技术的N3AE方案，将于今年至2025年实现量产，

台积电表示，北美技术论坛在美国加州圣克拉拉举行，超过1600家客户与合作伙伴报名参加，拉开了未来数月举办的全球技术论坛的序幕。

技术论坛还设置了创新专区，展示18家新兴客户激动人心的创新技术。

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台积电总裁魏哲家博士表示，公司的客户从未停止寻找新方法，利用芯片的力量为世界带来惊人的创新，创造更美好的未来。

本着同样的精神，台积电也继续

进取，强化及提升台积电制程技术，提升效能、功耗效率及功能，协助客户在未来持续推出更多创新。

台积电北美技术论坛的主要技术焦点包括更广泛的 3nm 技术组合、N3P、N3X 和 N3AE。随着N3制程进入量产，增强版N3E制程有望在2023年量产。台积电已推出更多纳米技术家族的3nm成员，以满足客户多样化的需求。

台积电指出，N3P预计2024年下半年进入量产。与N3E相比，相同漏电情况下，速度快5%：相同速度下，功耗降低5-10%，并且芯片密度增加了4%。

此外，N3X 专注于性能和最大时钟频率，以支持高性能计算应用。与N3P相比，在1.2伏的驱动电压下，速度提升了5%，芯片密度也有相同的提升。预计2025年进入市场量产。

N3AE将提供基于N3E的汽车制程设计套件（PDK），预计2023年推出，让客户尽早采用3nm技术设计汽车应用，2025年通过汽车制程N3A制程充分验证后适时采用.

台积电还指出，2nm技术的开发进展顺利。2nm工艺采用纳米晶体管结构，在良率和器件性能上都呈现出良好的进步，2025年将如期量产。

与N3E相比，同等功耗下，速度最高可提升15%，同等速度下，功耗最高可降低30%，芯片密度提升15%以上。

N4PRF 突破了 CMOS 射频技术的极限。台积电在2021年推出N6RF技术后，进一步开发N4PRF，这是业界最先进的互补金属氧化物半导体（CMOS）射频技术，支持WiFi7射频。

射频片上系统等数字密集型射频应用。

与N6RF相比，N4PRF的逻辑密度提升了77%，同样速度下，功耗降低了45%。

台积电还在技术论坛上透露了先进封装等系统集成技术的重大新进展，例如TSMC 3DFabricTM先进封装和硅堆叠。该公司正在开发 CoWoS 解决方案，该解决方案具有多达 6 个掩膜尺寸（约 5,000 平方毫米）的再分布层 (RDL) 中介层，能够容纳 12 个高带宽存储器堆栈。

还有 3D 芯片堆叠，台积电宣布 SoIC-P，作为片上系统 (SoIC) 解决方案的微凸块版本，提供了一种具有成本效益的方式来进行 3D 芯片堆叠，SoIC-P 加上当前的 SoIC -X 无扰解决方案让台积电的3D IC技术更加完善。

在设计支持方面，台积电推出最新版开放标准设计语言3DbloxTM 1.5，降低三维集成电路（3D IC）的设计门槛。

3DbloxTM 1.5增加了自动凸点合成功能，协助芯片设计人员处理具有数千个凸点的复杂大型芯片，可将设计时间缩短数月。